非単結晶太陽電池

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-068436
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269528
特許番号：特許第4158267号
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：

【請求項1】非単結晶薄膜からなるp型半導体層、実質的に真性なi型半導体層、n型半導体層を積層したpin接合を少なくとも一つ有する非単結晶太陽電池において、p型半導体層が受光面側に位置し、p型半導体層がアモルファスシリコンオキサイドである非単結晶太陽電池であって、非単結晶太陽電池の光照射前の開放電圧が、光照射前の開放電圧の最大値の0.85〜0.99倍になるように前記p型半導体を設定し、光照射をおこなうことを特徴とする非単結晶太陽電池。

IPC (1件)：