レジスト処理方法及びレジスト処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-140022
公開番号（公開出願番号）：特開2000-049089
特許番号：特許第3481499号
出願日： 1999年05月20日
公開日（公表日）： 2000年02月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】下地膜が形成された基板上に所定のレジストパターンを形成するレジスト処理方法において、(a)前記レジストパターンの形成に先立ち、前記下地膜の光の反射率を検出する工程と、(b)あらかじめ定められた前記基板を回転するときの回転数及び加速度に基づき、前記基板を回転させ前記基板上にレジストを塗布する工程と、(c)あらかじめ定められた前記基板を露光するときの露光時間に基づき、レジストが塗布された前記基板を露光する工程と、(d)あらかじめ定められた前記基板を現像するときの現像時間に基づき、前記露光された基板を現像する工程と、(e)光の反射率と、光の反射率に対して所望の線幅のレジストパターンを得るための回転数、加速度、露光時間、現像時間のうち少なくとも1つとの関係を記憶する工程と、(f)前記記憶された関係と前記検出された反射率とに基づき、あらかじめ定められた回転数、加速度、露光時間、現像時間のうち、少なくとも1つを制御する工程とを具備することを特徴とするレジスト処理方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G03F 7/16 501 , G03F 7/20 521 , G03F 7/30

FI (6件)：

G03F 7/16 501 , G03F 7/20 521 , G03F 7/30 , H01L 21/30 564 D , H01L 21/30 516 D , H01L 21/30 569 Z

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭63-131517
特開昭63-143816
露光パターン形成装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-048909 出願人：株式会社日立製作所

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