特許
J-GLOBAL ID：201103076249933708
半導体装置のフォトマスク及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
八田 幹雄
, 野上 敦
, 奈良 泰男
, 齋藤 悦子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-306101
公開番号（公開出願番号）：特開2000-131825
特許番号：特許第3876957号
出願日： 1999年10月27日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 透光性基板と、前記基板上に形成された、モリブデンにバナジウムまたはニオビウムが固溶されたモリブデン固溶合金からなる透過防止層とを有することを特徴とする半導体装置のフォトマスク。
IPC (2件)：
G03F 1/08 ( 200 6.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
G03F 1/08 G
, H01L 21/30 502 P
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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