特許

J-GLOBAL ID：201103076459361472

アダマンタン誘導体及びその製造法

発明者： 井上 慶三
出願人/特許権者： ダイセル化学工業株式会社
代理人 (1件)： 後藤 幸久
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-275403
公開番号（公開出願番号）：特開2001-097926
特許番号：特許第4372281号
出願日： 1999年09月28日
公開日（公表日）： 2001年04月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 下記式(2) (式中、Rpはヒドロキシル基の保護基を示す。式中に記載のORp基はアダマンタン環の橋頭位に結合しており、nは1〜4の整数を示す。アダマンタン環を構成する炭素原子は置換基を有していてもよい) で表される2-アダマンタノール誘導体と、(メタ)アクリル酸又はその反応性誘導体としての(メタ)アクリル酸ハライド又は(メタ)アクリル酸エステルとを反応させて、下記式(3) (式中、R1は水素原子又はメチル基を示す。Rp及びnは前記に同じ。式中に記載のORp基はアダマンタン環の橋頭位に結合している。アダマンタン環を構成する炭素原子は置換基を有していてもよい) で表される化合物を得、次いで前記式(3)で表される化合物を脱保護反応に付して、下記式(1) (式中、R1及びnは前記に同じ。式中に記載のヒドロキシル基はアダマンタン環の橋頭位に結合している。アダマンタン環を構成する炭素原子は置換基を有していてもよい) で表される化合物を得るアダマンタン誘導体の製造法。

IPC (5件)：

C07C 67/14 ( 200 6.01) ,  C07C 43/315 ( 200 6.01) ,  C07C 43/317 ( 200 6.01) ,  C07C 41/16 ( 200 6.01) ,  C07C 69/54 ( 200 6.01)

FI (5件)：

C07C 67/14 ,  C07C 43/315 ,  C07C 43/317 ,  C07C 41/16 ,  C07C 69/54 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• フォトレジスト用高分子化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-223110   出願人：ダイセル化学工業株式会社
• レジスト用樹脂、レジスト組成物およびそれを用いたパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-224538   出願人：株式会社東芝
• 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-211370   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 酸感応性化合物及びフォトレジスト用樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-135623   出願人：ダイセル化学工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• The Journal of Organic Chemistry, 1994, Vol. 59, No. 7, 1867-1876