特許

J-GLOBAL ID：201103076466010553

半導体装置およびその製造方法

発明者： 河村 哲史 ,  内山 博幸 ,  若菜 裕紀 ,  波多野 睦子 ,  佐藤 健史
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (2件)： 井上 学 ,  戸田 裕二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-191589
公開番号（公開出願番号）：特開2011-044575
出願日： 2009年08月21日
公開日（公表日）： 2011年03月03日
要約：

【課題】 酸化物半導体においてはイオン注入法による拡散層形成が難しいため、バルクシリコンMOSトランジスタや多結晶シリコンTFTのようなイオン注入法を用いた自己整合プロセスを組むことができない。本願では、リフトオフを用いる場合のような不都合の生じない自己整合プロセスを酸化物半導体において実現することを課題とする。【解決手段】 裏面露光により製造される薄膜トランジスタ(TFT)において、チャネル層として酸化物半導体を用い、基板上の電極をマスクとして、基板の裏面側から導電膜上のネガレジストを露光し、ネガレジストの露光部分を残し前記ネガレジストを除去し、露光部分をエッチングマスクとする導電膜のエッチングにより、電極を加工する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板上に金属膜によりソース電極とドレイン電極と酸化物半導体によりチャネル膜を形成し、 前記ソース電極と前記ドレイン電極と前記チャネル膜の上にゲート絶縁膜を形成し、 前記ゲート絶縁膜上に、導電膜を形成し、 前記導電膜上にネガレジストを塗布し、 前記ソース電極と前記ドレイン電極をマスクとして、前記基板の裏面側から前記ネガレジストを露光し、 前記ネガレジストの露光部分を残し前記ネガレジストを除去し、 前記露光部分をエッチングマスクとする前記導電膜のエッチングにより、ゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  G02F 1/136

FI (10件)：

H01L29/78 627C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 612C ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 D ,  G02F1/1368

Fターム (82件)：

2H092JA25 ,  2H092JA26 ,  2H092KA08 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA42 ,  2H092NA29 ,  4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB08 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB30 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD62 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104DD71 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF08 ,  4M104FF13 ,  4M104GG09 ,  5F110AA02 ,  5F110AA03 ,  5F110AA17 ,  5F110BB02 ,  5F110BB11 ,  5F110CC01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG43 ,  5F110GG55 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK31 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HK39 ,  5F110HK42 ,  5F110HM03 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ12

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 特開平2-211635
  
• 特開平2-128432
  
• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-014836   出願人：大日本印刷株式会社
• 特開平2-273935
  
• 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-003294   出願人：凸版印刷株式会社
• 特開昭62-073670
  
• トランジスタ素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-045017   出願人：大日本印刷株式会社
• トランジスタ素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-045018   出願人：大日本印刷株式会社