特許
J-GLOBAL ID：201103077206744169
半導体光素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-229088
公開番号（公開出願番号）：特開2004-070000
特許番号：特許第3924218号
出願日： 2002年08月06日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 光吸収機能を有する光機能部を半導体基板上に設け、光吸収により発生したキャリアにより熱が発生する半導体光素子において、
前記光機能部がリッジ構造であるとともに、該光機能部で発生した熱を前記半導体基板へ分散させるために、前記光機能部の周囲に部分的に設けられたInAlAsまたはInGaAlAsからなる半導体結晶部を有し、
該半導体結晶部が、ハイメサ側面及び基板表面を覆うように構成されているとともに、キャリア発生元素を不活性化又は深い不純物凖位を形成するための不純物であるフッ素を導入することによって半絶縁化され、
前記リッジ構造および前記半導体結晶部が、誘電体によって埋め込まれ、
前記誘電体上に前記光機能部に電気的に接続されたパッド電極が設けられていることを特徴とする半導体光素子。
IPC (2件)：
G02F 1/015 ( 200 6.01)
, H01S 5/227 ( 200 6.01)
G02F 1/015 505
, H01S 5/227
