特許
J-GLOBAL ID：201103077232576029
窒化物半導体基板及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-295341
公開番号（公開出願番号）：特開2005-060195
特許番号：特許第3890416号
出願日： 2003年08月19日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】グラッシーカーボン、アルミナ、窒化珪素、炭化珪素、及び窒化アルミニウム焼結体からなる群から選択される少なくとも1種からなるセラミック基板、
その一主面側に含まれ、下記一般式(1)で表される多結晶または非晶質の窒化物層である接合層、
(AlxGa1-x)1-yInyN (0≦x≦1,0≦y≦1)...(1)
及び該接合層上に融着された、上記一般式(1)で表される窒化物半導体層
を具備することを特徴とする窒化物半導体基板。
IPC (5件)：
C30B 29/38 ( 200 6.01)
, C04B 35/00 ( 200 6.01)
, C04B 37/00 ( 200 6.01)
, H01L 21/02 ( 200 6.01)
, H01L 33/00 ( 200 6.01)
C30B 29/38 D
, C04B 35/00 J
, C04B 37/00 C
, H01L 21/02 B
, H01L 21/02 C
, H01L 33/00 C
