成膜方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-211849
公開番号（公開出願番号）：特開2001-040481
特許番号：特許第4401481号
出願日： 1999年07月27日
公開日（公表日）： 2001年02月13日
請求項（抜粋）：

【請求項1】処理ガスを供給する処理ガスラインと、この処理ガスラインに処理ガスをキャリアするキャリアガスを供給するキャリアガスラインと、被処理基板が配置され、キャリアガスによってキャリアされた処理ガスが導入されるチャンバーとを具備し、前記処理ガスラインは、前記キャリアガスラインに合流するように設けられ、前記キャリアガスラインと前記処理ガスラインとの合流部を含む合流部分において、キャリアガスラインと合流部下流側部分とが直線状をなし、前記処理ガスラインと合流部下流側部分とが屈曲しており、かつ、前記処理ガスラインは、合流部から離れた位置にバルブが設けられている成膜装置を用いて成膜処理を行う成膜方法であって、前記バルブが閉の状態にあり、前記処理ガスラインの前記合流部から前記バルブまでの間の部分に処理ガスが残存している状態で、前記キャリアガスラインに100sccm以上のキャリアガスを前記残存している処理ガスがキャリアガスにより吸い出されるように流し、次いで、前記バルブを開け、前記処理ガスラインに処理ガスを流し、処理ガスをキャリアガスにキャリアさせて前記チャンバー内に供給し、被処理基板上に厚さ100nm以下の膜を成膜する成膜工程を有することを特徴とする成膜方法。

IPC (4件)：

C23C 16/455 ( 200 6.01) , B01J 4/00 ( 200 6.01) , F17D 1/02 ( 200 6.01) , H01L 21/285 ( 200 6.01)

FI (4件)：

C23C 16/455 , B01J 4/00 102 , F17D 1/02 , H01L 21/285 C

引用特許：

出願人引用 (5件)

特公平4-021751
成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-297042 出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
配管システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-155492 出願人：ソニー株式会社

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審査官引用 (3件)

特公平4-021751
成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-297042 出願人：キヤノン販売株式会社, 株式会社半導体プロセス研究所
配管システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-155492 出願人：ソニー株式会社

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