特許

J-GLOBAL ID：201103077891802273

半導体装置の製造方法

発明者： 伊藤 貴之 ,  飯沼 俊彦 ,  須黒 恭一 ,  有門 経敏 ,  飯塚 佳男
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-345066
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151428
特許番号：特許第4058231号
出願日： 2000年11月13日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜に前記半導体基板上に形成された第1の金属を有する第1のシリサイド膜を露出させるコンタクト孔を形成する工程と、 前記コンタクト孔から露出している前記第1のシリサイド膜に接続する第2の金属を堆積させてコンタクト部を形成する工程と、 前記半導体基板を熱処理することにより第2の金属を有する第2のシリサイド膜を前記第1の金属を有する第1のシリサイド膜上に形成して前記コンタクト部のコンタクト性を向上させる工程とを備え、 前記半導体基板を熱処理する工程において、発光波長分布及び照射時間の異なる2つの加熱源を用い、第1の加熱源であるハロゲンランプを照射し、この照射中に第2の加熱源であるフラッシュランプを前記第1の加熱源の照射時間よりも短い時間照射することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  H01L 23/52 ( 200 6.01) ,  H01L 21/768 ( 200 6.01) ,  H01L 21/26 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8246 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 27/10 ( 200 6.01)

FI (7件)：

H01L 21/28 301 S ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 21/90 C ,  H01L 21/26 J ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 461

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 加熱処理方法および加熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-074425   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平3-153025
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-352914   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-273281   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (4件)

• 加熱処理方法および加熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-074425   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平3-153025
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-352914   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-273281   出願人：富士通株式会社