特許
J-GLOBAL ID：201103078250711223
不揮発性半導体記憶装置及びそのデータ消去制御方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊丹 勝
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-182248
公開番号（公開出願番号）：特開2000-348492
特許番号：特許第3920501号
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 電気的書き換え可能な不揮発性メモリセルが配列され、複数個ずつのブロックを含む複数のセルアレイ領域に分けられたメモリセルアレイと、
このメモリセルアレイの一乃至複数のブロックを選択して同時にデータ消去するデータ消去手段と、
前記メモリセルアレイのブロック毎に設けられて、データ消去の際に選択されたブロックについて消去フラグを保持する消去フラグ保持手段と、
消去されたブロックのメモリセルの消去状態を確認するための消去ベリファイを行い、消去が不十分のブロックのデータ消去を繰り返す消去ベリファイ手段と、
消去ベリファイを前記複数のセルアレイ領域の消去されたブロックに対して同時に並行して行うために、前記消去フラグ保持手段に保持された消去フラグを前記複数のセルアレイについて同時に且つブロック毎に順次読み出してブロック検索を行う検索手段と
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
G11C 17/00 612 B
, G11C 17/00 612 F
