特許

J-GLOBAL ID：201103078590017976

結晶性珪素膜の作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  大谷 久 ,  宮永 昭治 ,  寺本 聡
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
代理人 (1件)： 加茂 裕邦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-087034
公開番号（公開出願番号）：特開2001-326179
特許番号：特許第3908475号
出願日： 2001年03月26日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 第1の非晶質珪素膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、 前記第1の非晶質珪素膜を加熱して結晶性珪素膜を形成し、 前記結晶性珪素膜上に1×1019〜1×1021原子cm-3で酸素を含有する第2の非晶質珪素膜を形成し、 前記結晶性珪素膜及び前記第2の非晶質珪素膜を、ハロゲンを含有する雰囲気において550°C〜1050°Cで加熱し、 前記第2の非晶質珪素膜を除去することを特徴とする結晶性珪素膜の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G ,  H01L 29/78 627 Z

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-162703   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-053077   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-156594   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社
• 特開平3-280435