特許
J-GLOBAL ID：201103078841472090
圧電体薄膜の製造方法および当該製造方法により製造される圧電体薄膜
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-157031
公開番号（公開出願番号）：特開2011-015148
出願日： 2009年07月01日
公開日（公表日）： 2011年01月20日
要約：
【課題】スカンジウムを含有する窒化アルミニウム薄膜を備えた圧電体薄膜において、スカンジウムの含有率が35〜40原子%の範囲であっても、スカンジウムを含有させない場合と比較して圧電応答性が低下しない圧電体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係るスカンジウムを含有する窒化アルミニウム薄膜を備えた圧電体薄膜の製造方法は、少なくとも窒素ガスを含む雰囲気下において、アルミニウムとスカンジウムとでスパッタリングするスパッタリング工程を含む。本発明に係る製造方法におけるスパッタリング工程では、基板温度を5〜450°Cの範囲で、スカンジウムの含有率が0.5〜50原子%の範囲となるようにスパッタリングする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上にスカンジウムを含有する窒化アルミニウム薄膜を備えた圧電体薄膜の製造方法であって、
少なくとも窒素ガスを含む雰囲気下において、スカンジウムの原子数と上記窒化アルミニウム薄膜におけるアルミニウムの原子数との総量を100原子%としたときのスカンジウムの含有率が0.5〜50原子%の範囲となるように、アルミニウムとスカンジウムとでスパッタリングするスパッタリング工程を含み、
上記スパッタリング工程における上記基板の温度が、5〜450°Cの範囲であることを特徴とする製造方法。
IPC (3件)：
H03H 3/02
, H03H 9/17
, C23C 14/06
H03H3/02 B
, H03H9/17 F
, C23C14/06 A
4K029AA06
, 4K029AA24
, 4K029BA58
, 4K029BC00
, 4K029BD00
, 4K029CA06
, 4K029DC39
, 4K029EA08
, 5J108BB08
, 5J108MM11
