特許
J-GLOBAL ID：201103078864626125
基板処理方法および基板処理装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大坪 隆司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-330675
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208578
特許番号：特許第4046972号
出願日： 2001年10月29日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 レジスト膜をマスクとしたドライエッチングによりその表面に形成された薄膜をパターン化することによりパターンの表面に金属部を有する基板に対し、当該基板の表面に生成された反応生成物を、レジスト除去前に除去液により除去する基板処理方法であって、
基板の表面に除去液を供給する除去液供給工程と、
基板の表面に純水を供給する純水供給工程と、
基板をその主面と平行な面内において回転させることにより、基板に付着した純水を振り切る純水振り切り工程と、
その内部にヒータを備えた加熱プレートにより基板を加熱して乾燥する加熱乾燥工程と、
を備えることを特徴とする基板処理方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 ( 200 6.01)
, G03F 7/42 ( 200 6.01)
, H01L 21/302 ( 200 6.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
H01L 21/304 643 A
, H01L 21/304 651 A
, H01L 21/304 651 M
, G03F 7/42
, H01L 21/302 400
, H01L 21/30 572 B
