特許

J-GLOBAL ID：201103078963140447

電界効果トランジスタ

発明者： 永久 哲三 ,  ジョン トワイナム
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人あーく特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-138083
公開番号（公開出願番号）：特開2010-287605
出願日： 2009年06月09日
公開日（公表日）： 2010年12月24日
要約：

【課題】電流コラプス現象およびゲートリーク電流を抑制することが可能な電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】電界効果トランジスタ1は、基板10と、チャネル層11と、キャリア供給層12と、ソース電極21と、ドレイン電極22と、ゲート電極23と、ソース電極21とドレイン電極22との間でキャリア供給層12に積層されて電流コラプス現象を抑制する第1絶縁層31と、ドレイン電極22に対向する第1絶縁層31の端とドレイン電極22との間に形成された開口部40と、開口部40に露出したキャリア供給層12に積層された第2絶縁層32とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板に積層されキャリアが走行するチャネル層と、前記チャネル層に積層され前記チャネル層にキャリアを供給するキャリア供給層と、前記キャリア供給層に接合されたソース電極と、前記ソース電極に対向して配置され前記キャリア供給層に接合されたドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に配置されキャリアの走行を制御するゲート電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間で前記キャリア供給層に積層されて電流コラプス現象を抑制する第1絶縁層とを備える電界効果トランジスタであって、 前記ドレイン電極に対向する前記第1絶縁層の端と前記ドレイン電極との間に形成された開口部と、 前記開口部に露出した前記キャリア供給層に積層された第2絶縁層とを備えること を特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (6件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522

FI (3件)：

H01L29/80 H ,  H01L29/78 301B ,  H01L21/90 K

Fターム (58件)：

5F033GG01 ,  5F033GG02 ,  5F033GG03 ,  5F033HH13 ,  5F033HH34 ,  5F033KK01 ,  5F033MM05 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ41 ,  5F033QQ58 ,  5F033QQ65 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033TT02 ,  5F033VV06 ,  5F033WW01 ,  5F102FA01 ,  5F102FA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ03 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07 ,  5F102GR12 ,  5F102GR13 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT06 ,  5F102GV06 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F140AA24 ,  5F140AA25 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BB18 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140CC01 ,  5F140CC02 ,  5F140CC03 ,  5F140CC08 ,  5F140CE02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-152495   出願人：ユーディナデバイス株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-335085   出願人：サンケン電気株式会社
• 化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-156497   出願人：富士通株式会社