半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：木村満 , 毛受隆典
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-335085
公開番号（公開出願番号）：特開2008-147524
出願日： 2006年12月12日
公開日（公表日）： 2008年06月26日
要約：

【課題】金属膜と絶縁膜との反応物の生成を抑制し、良好な電気的特性を備える半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置10は、基板11と、半導体層12と、絶縁膜13と、保護膜15と、ソース電極21と、ドレイン電極22と、ゲート電極23と、を備える。半導体装置10は絶縁膜13の少なくとも上面を覆うように形成された保護膜15を備えることによって、ソース電極21とドレイン電極22とに含まれるアルミニウムと絶縁膜13とが反応することを抑制することができ、電極の抵抗増加、電流コラプスの増加を抑え、良好な電気的特性を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成された窒素化合物からなる半導体層と、前記半導体層上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜に形成された開口を充填するように形成され、少なくともアルミニウムを含む電極と、を備え、前記絶縁膜と前記電極との界面に設けられ、前記電極に含まれるアルミニウムが前記絶縁膜中に拡散することを防ぐ保護膜を更に備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (8件)：

H01L29/80 F , H01L29/80 H , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R , H01L29/50 M , H01L29/78 301B , H01L29/78 618B , H01L29/78 616K

Fターム (68件)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA07 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD33 , 4M104DD43 , 4M104DD78 , 4M104DD83 , 4M104EE09 , 4M104EE16 , 4M104FF13 , 4M104FF28 , 4M104GG02 , 4M104GG08 , 4M104GG12 , 4M104HH20 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102HC24 , 5F110AA03 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110DD04 , 5F110EE03 , 5F110EE09 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF22 , 5F110FF29 , 5F110GG04 , 5F110GG19 , 5F110GG44 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL11 , 5F110HL22 , 5F110HL27 , 5F110NN01 , 5F110NN22 , 5F140AA10 , 5F140BA06 , 5F140BB18 , 5F140BC12 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BE10 , 5F140BF04 , 5F140BG28 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BK29 , 5F140BK38 , 5F140CC02

引用特許：

出願人引用 (1件)

n型窒化物半導体層の電極
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-152866 出願人：日亜化学工業株式会社

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-348300 出願人：株式会社トクヤマ
保護層および低損傷陥凹部を備える窒化物ベースのトランジスタならびにその製作方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-549235 出願人：クリーインコーポレイテッド
リフト-オフプロセスを利用した半導体素子におけるセルフアライン拡散バリアの製造方法及び拡散バリアを有する半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-035986 出願人：イーストマン・コダツク・カンパニー

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