特許
J-GLOBAL ID：201103079256798513
半導体ダイヤモンドの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外6名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-082780
公開番号（公開出願番号）：特開2000-272994
特許番号：特許第3495943号
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 800°C以上2000°C以下に加熱されたダイヤモンド基板または基板素材上に堆積されたダイヤモンド薄膜に、ドーパントとなる元素を含む加速粒子を、照射レート1×1012個/cm2・secから1×1015個/cm2・secにて照射することを特徴とする半導体ダイヤモンドの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
前のページに戻る
