特許
J-GLOBAL ID：201103079356101242
半導体装置のコンタクトホールを形成する方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-182462
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031088
特許番号：特許第3803208号
出願日： 1999年06月28日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体装置のコンタクトホールを形成する方法において、
複数のゲートスタックを有する半導体基板の全面に第1絶縁膜を形成する段階と、
前記半導体基板の全面に前記第1絶縁膜を覆う層間絶縁膜を形成する段階と、
前記層間絶縁膜をエッチングして前記ゲートスタックの間に前記コンタクトホールを形成する段階と、
前記半導体基板の全面に前記第1絶縁膜のエッチングの際にエッチング阻止層として作用する第2絶縁膜を形成する段階と、
前記第2絶縁膜をエッチバックして前記コンタクトホール内部の両側壁にスペーサを形成する段階と、
前記ゲートスタックの間の前記半導体基板を露出するように前記スペーサ及び前記層間絶縁膜をマスクとして使用して前記第1絶縁膜をエッチングする段階とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/8242 ( 200 6.01)
, H01L 27/108 ( 200 6.01)
H01L 21/28 L
, H01L 29/78 301 Y
, H01L 29/78 301 P
, H01L 27/10 621 C
, H01L 27/10 681 B
