半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-186574
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015549
特許番号：特許第3365495号
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板上に形成された凹部を有する絶縁膜と、該凹部に埋め込まれた電極パッドとを備える半導体装置であって、該電極パッドは、該凹部の内面を覆う銅系膜と、該銅系膜を覆う酸化防止金属膜とを含んでなり、該電極パッドを構成する銅系膜の下面が、該絶縁膜中に形成された銅系アンカー層にビアを介して接続されており、該銅系アンカー層は、該絶縁膜中に形成された銅系配線と併用されることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：