特許
J-GLOBAL ID：201103079643162899
強誘電体メモリの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-039736
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243920
特許番号：特許第3456434号
出願日： 1999年02月18日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン基板上に下部電極を形成する工程と、前記下部電極上にキャパシタ絶縁膜を形成する工程と、前記キャパシタ絶縁膜上に上部電極を形成する工程とを有する強誘電体メモリの製造方法において、前記キャパシタ絶縁膜の形成工程は、酢酸鉛溶液にアンモニアガスを加えながら還流して鉛前駆体を作製する工程と、この鉛前駆体にZrTi複合溶液を加えて還流してPbx(Zr(1-y)Tiy)O3[但し、xは1.05乃至1.30、yは0.2乃至0.55]の組成を有するゾルゲル液を作製する工程と、このゾルゲル液を基板上に被着する工程と、このゾルゲル液を乾燥した後250乃至350°Cの温度で熱処理する第1熱処理工程と、更に500乃至600°Cの温度で熱処理する第2熱処理工程と、を有することを特徴とする強誘電体メモリの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 27/105
, H01B 17/56
, H01L 21/822
, H01L 27/04
H01B 17/56 L
, H01L 27/10 444 C
, H01L 27/04 C
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (3件)
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