強誘電体メモリ素子及びその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-344982
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189885
出願日： 1996年12月25日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】強誘電体薄膜キャパシタをメモリキャパシタとして用いる強誘電体メモリ素子において、上部保護電極、上部電極8上の劣化防止層、強誘電体層7/電極6、8の界面劣化防止層の一つあるいは複数を設置し、あるいは強誘電体層7/上部電極8界面の変性層を低減する工程を設置することにより、強誘電体特性劣化の小さい強誘電体薄膜キャパシタを供給し、超寿命の強誘電体メモリ素子を実現する。【効果】膜疲労及び刷り込みの生じにくい長寿命の強誘電体薄膜キャパシタを提供する。

請求項（抜粋）：

少なくとも下部電極、強誘電体薄膜及び上部電極の積層構造よりなる強誘電体薄膜キャパシタ上に、少なくとも配線層及び絶縁層備えた強誘電体メモリ素子において、上記キャパシタの上部電極をPt電極となし、該Pt電極上部にPt乃至Ir乃至Ruを含有する合金電極となした上部保護電極を配置し、上記上部電極乃至上部保護電極上の配線層・絶縁層側に存在する物質から発生する分解ガスを吸収あるいは遮断するように構成したことを特徴とする強誘電体メモリ素子。

IPC (8件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (6件)

強誘電体メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-254378 出願人：オリンパス光学工業株式会社, シメトリックス・コーポレーション
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-222928 出願人：シヤープ株式会社
薄膜装置および薄膜装置の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-000347 出願人：三菱電機株式会社

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