特許
J-GLOBAL ID：201103079752534160
半導体パッケージ
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-299776
公開番号（公開出願番号）：特開2003-110062
特許番号：特許第4670213号
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 絶縁樹脂層と導体配線パターンを交互に積層した構造の多層配線板の片面に、半導体集積回路素子が搭載され、該多層配線板の反対面には、外部回路に接続するための半田ボールが面状に形成された半導体パッケージにおいて、
少なくとも、絶縁樹脂層1、内部配線層2、低弾性率層5、絶縁樹脂層6、内部配線層7がこの順に積層され、
前記内部配線層7の端部には半導体集積回路が搭載される電極部10が形成され、
前記絶縁樹脂層6と、前記内部配線層7のうち前記電極部が形成されていない部分を覆うようにソルダーレジスト層9が形成され、
前記絶縁樹脂層6に、前記絶縁樹脂層1方向に径が細くなるような逆テーバー部分が形成され、
前記低弾性率層5のうち、前記絶縁樹脂層6の前記逆テーパー部分に対応する領域は、厚さが周辺より薄くなっており、
前記内部配線層7の前記電極部10が形成されていない端部には、前記内部配線層2と電気的導通をとるために、前記絶縁樹脂層6の逆テーパー部分と前記低弾性率層5の厚さが周辺の部分より薄くなって部分を貫通するビアホール8が形成されていることを特徴とする半導体パッケージ。
IPC (2件)：
H01L 23/14 ( 200 6.01)
, H01L 23/12 ( 200 6.01)
H01L 23/14 R
, H01L 23/12 N
, H01L 23/12 501 B
