特許

J-GLOBAL ID：201103079876786841

薄膜トランジスタの作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  大谷 久 ,  田中 幸一郎 ,  笠原 健司 ,  河崎 律子
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-307876
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198377
特許番号：特許第3920065号
出願日： 2001年10月03日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 透光性基板上に形成された半導体膜の表面にYVO4レーザーを発振源とする第2高調波を照射し、 前記半導体膜の裏面に、前記透光性基板の下に配置された反射体によって反射された前記YVO4レーザーを発振源とする第2高調波を照射し、 前記半導体膜を用いてソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む活性層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20

引用特許：

審査官引用 (3件)

• レーザー照射方法およびレーザー照射装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-046992   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社
• 絶縁ゲイト型薄膜半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-056481   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタおよびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-274747   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所