特許
J-GLOBAL ID：200903002603177493
レーザー照射方法およびレーザー照射装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-046992
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064842
出願日： 1997年02月14日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】 半導体膜に対するレーザーアニールの均一性と再現性を高める。【解決手段】 レーザーアニールに対して影響を与えうる不確定因子を排除し、かつそのような因子のバラツキを精密に制御することでレーザーアニールの均一性および再現性を高める。具体的には、各因子を規格値の±3%以内に収める。これにより線状のレーザービームを用いた大面積に対するアニール効果の面内均一性と再現性を改善し、横縞模様のような画像乱れのない液晶表示装置の作製を可能とする。
請求項（抜粋）：
パルス発振型の線状のレーザー光を照射することにより半導体膜のアニールを行う方法であって、前記レーザー光のパルス毎の照射エネルギーが概略±3%以内に分布していることを特徴とするレーザー照射方法。
IPC (6件)：
H01L 21/268
, G02F 1/136 500
, H01L 21/20
, H01L 27/12
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/268 B
, G02F 1/136 500
, H01L 21/20
, H01L 27/12 R
, H01L 29/78 627 G
