特許

J-GLOBAL ID：201103079931708650

半導体結合超伝導素子とその製造方法

発明者： 赤崎 達志 ,  高柳 英明 ,  新田 淳作
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (3件)： 松元 洋 ,  光石 俊郎 ,  田中 康幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-238562
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050802
特許番号：特許第3698304号
出願日： 2000年08月07日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】二次元電子ガスを形成するGaAs層と超伝導電流のソース電極となる第1のNbN超伝導電極層及びドレイン電極となる第2のNbN超伝導電極層を有する半導体結合超伝導素子において、前記NbN超伝導電極層と前記GaAs層との層間にSnドープInGaAs層が挿入されたことを特徴とする半導体結合超伝導素子。

IPC (4件)：

H01L 39/22 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 39/22 ZAA G ,  H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 F

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭63-177573
  
• 半導体結合超伝導素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-150453   出願人：日本電信電話株式会社
• 半導体結合超伝導素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-316825   出願人：日本電信電話株式会社
• 化合物半導体エピタキシャル薄膜におけるキャリア濃度の測定方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-007730   出願人：日本電信電話株式会社