特許
J-GLOBAL ID：201103080126091513
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
井上 一
, 布施 行夫
, 大渕 美千栄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-153304
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082722
特許番号：特許第3565090号
出願日： 1999年06月01日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】配線パターンが形成されたフレキシブル基板上に接着剤を設ける工程と、前記フレキシブル基板上の第1領域において、半導体素子に形成されてなる複数の電極と前記配線パターンとを前記接着剤によって接着する工程と、前記第1の領域とは異なる前記フレキシブル基板上の第2領域において、前記フレキシブル基板と保持材を前記接着剤により貼り付ける工程と、 前記半導体素子の前記複数の電極及び前記保持材と前記フレキシブル基板との間に、一括して圧力を加える工程と、を含む半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/60
, H01L 21/56
, H01L 23/12
H01L 21/60 311 S
, H01L 21/56 E
, H01L 23/12 501 B
, H01L 23/12 501 F
