特許
J-GLOBAL ID：201103080276223272

大面積ナノパターン形成方法および装置

発明者：
コーブリン ボリス

コーブリン ボリス について

, 
ランダウ イゴール

ランダウ イゴール について

, 
ヴォルフ ボリス

ヴォルフ ボリス について


出願人/特許権者：
ローイス インコーポレイテッド

ローイス インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 正林 真之 ,  林 一好
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-543093
公開番号（公開出願番号）：特表2011-526069
出願日： 2008年11月18日
公開日（公表日）： 2011年09月29日
要約：
本発明の実施形態は、放射線感受性材料をイメージングするために回転式マスクが使用される、大面積の基体のナノパターン形成に有用な方法および装置に関する。典型的には、この回転式マスクは円筒を含む。このナノパターン形成技術は、基体をパターン形成するために使用されるマスクがその基体と動的接触にある、近接場フォトリソグラフィを利用する。この近接場フォトリソグラフィはエラストマーの位相シフトマスクを利用してもよいし、または回転する円筒表面が金属ナノホールまたはナノ粒子を含む表面プラズモン技術を用いてもよい。【選択図】図6A
請求項（抜粋）：
近接場ナノリソグラフィーの方法であって、 a)表面上に放射線感受性の層を有する基体を準備する工程と、 b)回転式マスクを準備する工程であって、前記回転式マスクはその外部表面にナノパターンを有する、工程と、 c)前記ナノパターンを、前記基体表面上の前記放射線感受性の層と接触させる工程と、 d)前記回転式マスクを前記放射線感受性の層にわたって回転させつつ、放射線を前記ナノパターンを通して分散させ、これにより、1μm未満〜約1nmの範囲の加工寸法を有する像が前記放射線感受性の層の中に作り出される工程と を含む、方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 ,  B29C 59/02
FI (3件)：
H01L21/30 502D ,  G03F7/20 501 ,  B29C59/02 Z
Fターム (20件)：
2H097AB02 ,  2H097BA10 ,  2H097BB10 ,  2H097CA12 ,  2H097DB12 ,  2H097GA31 ,  2H097LA20 ,  4F209AD08 ,  4F209AF01 ,  4F209AG05 ,  4F209AH33 ,  4F209AH73 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PN06 ,  4F209PN09 ,  4F209PQ11 ,  5F046BA01 ,  5F046CA02 ,  5F046CB17
引用特許：
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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