薄膜形成方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-076578
公開番号（公開出願番号）：特開2001-262396
特許番号：特許第3353066号
出願日： 2000年03月17日
公開日（公表日）： 2001年09月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】調整溶液中に金属粉末又は金属化合物粉末を加えて反応溶液を作製するとともに、この反応溶液中にアノード電極及びカソード電極を配置し、前記アノード電極と前記カソード電極との間に所定の電圧を印加することにより、前記アノード電極上に、前記調整溶液の構成元素と前記金属粉末又は前記金属化合物粉末の構成元素とを含んでなる薄膜を合成することを特徴とする、薄膜形成方法。

IPC (1件)：