特許
J-GLOBAL ID：201103080664139283
電界効果型トランジスタの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-185181
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009289
特許番号：特許第4058751号
出願日： 2000年06月20日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 突起形状をもつ半導体領域上にダミーゲート電極を設け、前記ダミーゲート電極を絶縁体中に埋め込む工程と、前記ダミーゲート電極を覆う前記絶縁体の上部をエッチングにより除去し、ダミーゲート電極の上部を露出させ、引続いて露出した前記ダミーゲート電極の両側に第一の側壁を設け、前記ダミーゲート電極及び前記第一の側壁をマスクに前記ダミーゲート電極を覆う前記絶縁体をエッチバックして、前記第一の側壁の下部において前記ダミーゲート電極の側面に絶縁体よりなるゲート側壁を形成する工程と、前記ダミーゲート電極及び前記ゲート側壁のいずれにも覆われていない部位の、前記ダミーゲート電極の両側の半導体領域に、第一導電型不純物を高濃度に導入したソース/ドレイン領域を設ける工程と、前記ダミーゲート電極を除去して形成される空隙に導電性材料を埋め込みゲート電極を形成する工程とを含むことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 617 J
, H01L 29/78 618 C
