特許
J-GLOBAL ID:201103080810591991

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 作田 康夫
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-027318
公開番号(公開出願番号):特開2001-217363
特許番号:特許第3452011号
出願日: 2000年01月31日
公開日(公表日): 2001年08月10日
請求項(抜粋):
【請求項1】半導体素子と、信号を入出力する配線と、金属層が接合された絶縁基板と、放熱板とを有する半導体装置において、前記放熱板と絶縁基板に接合されている金属層は直接接合され、前記放熱板はCuとCu2O との複合材からなることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件):
H01L 23/373
FI (1件):
H01L 23/36 M
引用特許:
審査官引用 (8件)
  • ヒートシンク付セラミック回路基板
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-221477   出願人:三菱マテリアル株式会社
  • 電力用半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-217762   出願人:株式会社明電舎
  • 放熱部品
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-252815   出願人:株式会社東芝
全件表示

前のページに戻る