特許
J-GLOBAL ID:201103081069281277
高架型集積回路センサ構造のパッシベーション用の改良型層間誘電体
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
野村 泰久
, 大菅 義之
, 後藤 政喜
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-127497
公開番号(公開出願番号):特開2001-024059
特許番号:特許第4501123号
出願日: 2000年04月27日
公開日(公表日): 2001年01月26日
請求項(抜粋):
【請求項1】 集積回路センサの構造であって、
電子回路を備える基板と、
前記基板に隣接する相互接続構造であって、該相互接続構造を貫通する導電性の相互接続バイアを有する、相互接続構造と、
前記相互接続構造に隣接する誘電体層と、
を備え、
前記誘電体層は、平坦面を有し、かつ、前記誘電体層を貫通して、前記相互接続バイアに電気的に接続される導電性バイアを有し、
前記誘電体層が、さらに、
前記相互接続構造に隣接する層間平坦化誘電体層と、
前記層間平坦化誘電体層に隣接するパッシベーション層と、
前記パッシベーション層に隣接する接着層と、
を備え、
前記集積回路センサの構造が、さらに、前記誘電体層に隣接する光検出アクティブイメージセンサを備え、
前記相互接続バイアと前記導電性バイアとが、前記電子回路を前記光検出アクティブイメージセンサに電気的に接続する、集積回路センサの構造。
IPC (3件):
H01L 27/146 ( 200 6.01)
, H01L 21/768 ( 200 6.01)
, H01L 23/522 ( 200 6.01)
FI (2件):
H01L 27/14 E
, H01L 21/90 Z
引用特許:
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