特許
J-GLOBAL ID：201103081227284157

半導体装置の製造方法

発明者：
松田 友子

松田 友子 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-002973
公開番号（公開出願番号）：特開2001-196469
特許番号：特許第3371875号
出願日： 2000年01月11日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 同一基板にP型MOSトランジスタ及びN型MOSトランジスタを形成する半導体装置の製造方法において、N型MOSトランジスタ形成予定領域の拡散層となる領域にAs、Ar及びGeからなる群から選択された1種の不純物を前記基板がアモルファス化しない条件で注入した後Pを不純物として注入すると共に、P型MOSトランジスタ形成予定領域の拡散層となる領域に不純物を注入する工程と、前記N型MOSトランジスタ形成予定領域の注入不純物及び前記P型MOSトランジスタ形成予定領域の注入不純物を、酸素濃度が0.05乃至1体積%の雰囲気で行われる同一の熱処理により活性化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/8238 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/265 602 ,  H01L 21/265 604 ,  H01L 27/092
FI (5件)：
H01L 21/265 602 B ,  H01L 21/265 604 G ,  H01L 27/08 321 E ,  H01L 21/265 F ,  H01L 27/08 321 N
引用特許：
審査官引用 (5件)
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