ダイヤモンド膜の形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (11件)：奥山尚一 , 有原幸一 , 松島鉄男 , 河村英文 , 吉田尚美 , 中村綾子 , 深川英里 , 森本聡二 , 角田恭子 , 松崎隆 , 広瀬幹規
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-253803
公開番号（公開出願番号）：特開2011-099137
出願日： 2009年11月05日
公開日（公表日）： 2011年05月19日
要約：

【課題】酸素または水素雰囲気中でのレーザーアブレーションにより金属などの異種基板に対して良好なダイヤモンド膜を形成できる方法を提供する。【解決手段】酸素または水素雰囲気中で、グラファイト、アモルファスカーボン、グラッシーカーボン、またはダイヤモンドからなる炭素ターゲットに、50ns以下のパルス幅でレーザー光を照射し、レーザーアブレーションによって前記ターゲットから炭素粒子を飛散させて基板上に堆積させ、パルス毎に堆積粒子の過飽和状態を形成して前記基板上にダイヤモンド膜を形成する方法において、前記基板に負バイアスを印加した状態で前記レーザー光を照射する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸素または水素雰囲気中で、グラファイト、アモルファスカーボン、グラッシーカーボン、またはダイヤモンドからなる炭素ターゲットに、50ns以下のパルス幅でレーザー光を照射し、レーザーアブレーションによって前記ターゲットから炭素粒子を飛散させて基板上に堆積させ、パルス毎に堆積粒子の過飽和状態を形成して前記基板上にダイヤモンド膜を形成する方法において、前記基板に負バイアスを印加した状態で前記レーザー光を照射することを特徴とするダイヤモンド膜の形成方法。

IPC (4件)：

C23C 14/06 , C30B 29/04 , C30B 30/02 , C01B 31/06

FI (4件)：

C23C14/06 F , C30B29/04 M , C30B30/02 , C01B31/06 A

Fターム (40件)：

4G077AA03 , 4G077BA03 , 4G077DA03 , 4G077DA14 , 4G077EA06 , 4G077EA07 , 4G077EA10 , 4G077ED06 , 4G077EE06 , 4G077EJ01 , 4G077HA01 , 4G077HA04 , 4G077HA06 , 4G077HA13 , 4G077HA14 , 4G077RA01 , 4G077SA04 , 4G077SA07 , 4G077SB03 , 4G146AA04 , 4G146AB07 , 4G146AC16B , 4G146AD20 , 4G146AD28 , 4G146BA02 , 4G146BC10 , 4G146BC15 , 4G146BC18 , 4G146BC24 , 4G146BC25 , 4G146BC38B , 4K029AA02 , 4K029AA08 , 4K029AA24 , 4K029BA34 , 4K029CA02 , 4K029CA13 , 4K029DB03 , 4K029DB08 , 4K029DB20

引用特許：

審査官引用 (8件)

非晶質炭素膜の成膜装置とその成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-064354 出願人：株式会社小松製作所
ダイヤモンド薄膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-253766 出願人：科学技術振興事業団
ダイヤモンドの合成方法及び合成ダイヤモンド並びにダイヤモンド合成用基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-037164 出願人：住友電気工業株式会社

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