特許
J-GLOBAL ID：201103081907223217
プラズマ処理方法及び装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-048815
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237233
特許番号：特許第3374828号
出願日： 2000年02月25日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内の基板電極に載置された基板に対向して真空容器内に設けられたアンテナに、アンテナと真空容器との間に挟まれ、かつ、アンテナよりも外形寸法が大きい誘電板に設けられた貫通穴を介して周波数50MHz乃至3GHzの高周波電力を印加することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、前記アンテナと前記基板電極との距離を80mm程度に設定し、基板を処理するプラズマ処理方法であって、「アンテナの周辺部に設けられ、かつ、前記誘電板に設けられた第1導体リングとアンテナとの間の溝状の第1プラズマトラップ」と、「第1導体リングの周辺部に設けられ、かつ、前記誘電板に設けられ、かつ、内径が前記誘電板の外形よりも小さい第2導体リングと、第1導体リングとの間の溝状の第2プラズマトラップ」とによって、前記基板を処理することを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (6件)：
H01L 21/3065
, B01J 19/08
, C23C 16/509
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H05H 1/46
B01J 19/08 H
, C23C 16/509
, C23F 4/00 A
, H01L 21/205
, H05H 1/46 L
, H01L 21/302 101 B
