特許

J-GLOBAL ID：201103081927412180

半導体装置

発明者： 馬場 智也 ,  藤井 克正 ,  武藤 彰良
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-064950
公開番号（公開出願番号）：特開2002-270826
特許番号：特許第3678661号
出願日： 2001年03月08日
公開日（公表日）： 2002年09月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 圧縮歪を有するシリコンゲルマニウム膜、0.1から1atom%未満の炭素を含有し引張歪を有する炭素添加シリコン膜及びシリコン膜がこの順に形成された半導体基板上に、ゲート酸化膜を介してゲート電極が形成され、前記引張歪を有する炭素添加シリコン膜がチャネル領域として機能することからなるnチャネル型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (3件)：

H01L 29/78 301 B ,  H01L 27/08 321 C ,  H01L 29/78 301 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-248298   出願人：松下電器産業株式会社
• MOS型電界効果トランジスタおよびMOS型電界効果トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-246531   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-246710   出願人：株式会社東芝
• 半導体結晶,その製造方法及び半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-003347   出願人：松下電器産業株式会社