特許
J-GLOBAL ID：201103081947041626
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
足立 勉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-276707
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086529
特許番号：特許第4686945号
出願日： 2001年09月12日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 基板表面をアモルファス化させた炭化珪素半導体(SiC)基板と気相拡散用ドーパントとSiC粉末とを一緒に封入して1800度以上に加熱する熱処理を行って、気化した気相拡散用ドーパントを前記アモルファス化させたSiC基板に当てることにより当該気相拡散用ドーパントの不純物領域を前記SiC基板に形成すること
を特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L 21/265 Z
, H01L 21/265 Q
