特許
J-GLOBAL ID：200903089035204470
炭化けい素半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-293720
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135450
出願日： 1997年10月27日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】炭化けい素半導体素子製造のため、イオン注入をおこない、更にダメージ回復と不純物活性化のため1500°C以上のアニールをおこなう際の、炭化けい素基板表面の粗面化による素子特性の劣化を防止する。【解決手段】(1)アニール後に、例えば水素希釈の塩酸ガスのようなエッチングガスにより基板表面をエッチングし、平滑化する。(2)アニール前に、例えばアルミナのようなアニール温度で安定な薄膜を積層し、アニール後にその薄膜を除去して、初期の表面粗さを保つ。
請求項（抜粋）：
炭化けい素基板にイオン注入を行い、高温でアニールを実施する炭化けい素半導体素子の製造方法において、アニール後に基板表面を平滑化することを特徴とする炭化けい素半導体素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/265
, H01L 29/78
, H01L 29/861
H01L 21/265 602 A
, H01L 21/265 Z
, H01L 29/78 301 B
, H01L 29/91 F
