特許

J-GLOBAL ID：201103082181607696

マスク、半導体装置の製造方法および露光装置

発明者： 志水 勲
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (1件)： 高田 守 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-256001
公開番号（公開出願番号）：特開2003-068617
特許番号：特許第3516667号
出願日： 2001年08月27日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 複数の露光単位領域と、互いに隣接する露光単位領域の境界部に形成された梁とを備えたパターン転写用のマスクであって、前記露光単位領域の形状が六角形であり、隣接して配置された一群の露光単位領域が前記マスク上に円状の梁構造領域を構成するように配置されていることを特徴とするマスク。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/16 ,  G03F 7/20 521

FI (3件)：

G03F 1/16 B ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 541 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 荷電ビーム転写用マスク
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-120245   出願人：株式会社ニコン
• 荷電粒子描画方法及び荷電粒子描画装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-214593   出願人：松下電子工業株式会社
• 電子線描画方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-109370   出願人：株式会社日立製作所