特許
J-GLOBAL ID：201103082230263760

パターン形成方法、パターン形成装置、ナノインプリントモールド及びナノインプリントモールドの製造方法

発明者：
平林 正史

平林 正史 について

, 
有塚 祐樹

有塚 祐樹 について


出願人/特許権者：
大日本印刷株式会社

大日本印刷株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-267014
公開番号（公開出願番号）：特開2011-114046
出願日： 2009年11月25日
公開日（公表日）： 2011年06月09日
要約：
【課題】本発明は、ナノインプリントモールドを光硬化樹脂からなる樹脂層から離型する時の樹脂層やモールドの破損を防止するパターン形成方法等を提供する。【解決手段】本発明に係るナノインプリントによるパターン形成方法は、基材上に光硬化樹脂からなる樹脂層を形成し、凹凸パターン部を有するモールドを前記樹脂層に押し当て、前記モールドの外周に向かって光の照射量が大きくなるように、前記樹脂層に光を照射し、前記樹脂層に光を照射した後、前記樹脂層から前記モールドを離型することを特徴とするナノインプリントによるパターン形成方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
転写基材上に光硬化樹脂からなる樹脂層を形成し、 凹凸パターン部を有するモールドを前記樹脂層に押し当て、 前記モールドの外周部に向かうにつれ前記樹脂層に照射される光照射量が小さくなるように前記樹脂層に光を照射し、 前記樹脂層に光を照射した後、前記樹脂層から前記モールドを離型し、前記樹脂層にパターン転写することを特徴とするナノインプリントによるパターン形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027 ,  B29C 59/02 ,  B29C 33/44 ,  B29C 33/38
FI (4件)：
H01L21/30 502D ,  B29C59/02 Z ,  B29C33/44 ,  B29C33/38
Fターム (32件)：
4F202AA44 ,  4F202AG01 ,  4F202AG05 ,  4F202AJ03 ,  4F202AJ08 ,  4F202AJ09 ,  4F202AJ11 ,  4F202AR20 ,  4F202CA09 ,  4F202CA19 ,  4F202CD02 ,  4F202CD08 ,  4F202CD23 ,  4F202CD30 ,  4F202CK13 ,  4F202CK23 ,  4F202CK90 ,  4F202CM31 ,  4F202CM90 ,  4F209AA44 ,  4F209AF01 ,  4F209AG05 ,  4F209AH33 ,  4F209AH73 ,  4F209AJ08 ,  4F209AJ09 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PN09 ,  4F209PQ11 ,  5F046AA28 ,  5F146AA28
引用特許：
審査官引用 (6件)
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