特許
J-GLOBAL ID：201103082590317675
半導体発光装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人藤村合同特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-011031
公開番号（公開出願番号）：特開2011-151191
出願日： 2010年01月21日
公開日（公表日）： 2011年08月04日
要約：
【課題】樹脂埋め込み型の半導体発光装置において、レーザリフトオフ法を用いて成長用基板を剥離する際の半導体膜へのダメージを防止し、更に樹脂材料のアブレーションに伴う半導体膜への異物の付着を防止することができる半導体発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】レーザを照射する工程は、分割溝によって分割された半導体膜の少なくとも1つの個片と樹脂30の少なくとも1つの個片に隣接する部分を含む範囲に樹脂が分解し且つ半導体膜が分解されないエネルギー密度でレーザ照射を行う第1レーザ照射ステップと、少なくとも1つの個片を含む範囲に半導体膜が分解し得るエネルギー密度でレーザ照射を行う第2レーザ照射ステップと、を含む。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
成長用基板の上に半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜を素子分割ラインに沿ってエッチングして、前記半導体膜に前記成長用基板に達する分割溝を形成して前記半導体膜を分割する工程と、
前記分割溝にレーザ吸収性を有する樹脂を充填する工程と、
前記半導体膜上に前記半導体膜を支持する支持部材を形成する工程と、
前記成長用基板の裏面側からレーザを照射して前記成長用基板との界面近傍における前記半導体膜および前記樹脂を分解して前記成長用基板を前記半導体膜から剥離する工程と、を含み、
前記レーザを照射する工程は、前記分割溝によって分割された前記半導体膜の少なくとも1つの個片と前記樹脂の前記少なくとも1つの個片に隣接する部分を含む範囲に前記樹脂が分解し且つ前記半導体膜が分解されないエネルギー密度でレーザ照射を行う第1レーザ照射ステップと、前記少なくとも1つの個片を含む範囲に前記半導体膜が分解し得るエネルギー密度でレーザ照射を行う第2レーザ照射ステップと、を含むことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F041AA40
, 5F041AA41
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
