特許
J-GLOBAL ID：200903086368831244
窒化物半導体発光素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
三好 秀和
, 寺山 啓進
, 三好 広之
, 伊藤 市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-368157
公開番号（公開出願番号）：特開2007-173465
出願日： 2005年12月21日
公開日（公表日）： 2007年07月05日
要約：
【課題】チップ分離用やレーザーリフトオフ用の分離溝を形成する場合に、発光領域に損傷が加わらず、劣化のない高輝度な窒化物半導体発光素子を形成することができる窒化物半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】n型窒化物半導体層2には、p側から見て活性層3を越えた領域に段差Aが形成されている。この段差Aの部分まで、保護絶縁膜6によりn型窒化物半導体層2の一部、活性層3、p型窒化物半導体層4、p電極5の側面とp電極5の上側一部にかけて覆われている。チップ側面を保護絶縁膜6で覆う構造とすることで、チップ分離用やレーザーリフトオフ用の分離溝をエッチングにより形成する場合、活性層3等が、長時間エッチングガスに曝されることがない。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも、n型窒化物半導体層、発光領域、p型窒化物半導体層とを順に備えたGaNを含む窒化物積層構造体が成長用基板上に積層され、前記窒化物積層構造体に分離溝を形成する窒化物半導体素子の製造方法において、
前記n型窒化物半導体層から前記発光領域を越えるまでの第1分離溝については塩素を含むガスによるドライエッチングを用いて形成し、
前記第1分離溝から続けて前記成長用基板に達するまで形成される第2分離溝は、前記成長用基板には透明で、前記窒化物積層構造体では吸収する波長を持つレーザを用いて形成することを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F041AA44
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA77
, 5F041CA82
, 5F041CA85
, 5F041CA88
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
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