特許
J-GLOBAL ID：200903006700165438
窒化物系半導体発光素子の製造方法、窒化物系半導体発光素子及びランプ
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-126711
公開番号（公開出願番号）：特開2007-299935
出願日： 2006年04月28日
公開日（公表日）： 2007年11月15日
要約：
【課題】高い光取り出し効率を有し、発光特性に優れるとともに、生産性に優れた窒化物系半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】第1の基板101上に、少なくともn型半導体層、発光層、及びp型半導体層を順次積層して半導体層104を形成した後、該半導体層をブラスト加工することにより、前記半導体層を、前記ブラスト加工によって形成された傾斜面104dからなる側面を有する積層半導体とする工程と、前記積層半導体上に第2の基板を設けた後、前記第1の基板と前記積層半導体との界面にレーザー光を照射して前記第1の基板を前記積層半導体から剥離する工程とを少なくとも備え、前記第1の基板として、前記半導体層よりも高いビッカース硬度を有する基板を用いることを特徴とする窒化物系半導体発光素子の製造方法を採用する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
窒化物系半導体からなる半導体層を基板上に積層する窒化物系半導体発光素子の製造方法であって、
第1の基板上に、少なくともn型半導体層、発光層、及びp型半導体層を順次積層して半導体層を形成した後、該半導体層をブラスト加工することにより、前記半導体層を、前記ブラスト加工によって形成された傾斜面からなる側面を有する積層半導体とする工程と、
前記積層半導体上に第2の基板を設けた後、前記第1の基板と前記積層半導体との界面にレーザー光を照射して前記第1の基板を前記積層半導体から剥離する工程とを少なくとも備え、
前記第1の基板として、前記半導体層よりも高いビッカース硬度を有する基板を用いることを特徴とする窒化物系半導体発光素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (9件)：
5F041CA13
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA77
, 5F041DA07
, 5F041DA18
, 5F041DB01
出願人引用 (25件)
全件表示
審査官引用 (23件)
全件表示
前のページに戻る
