基板処理方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：油井透 , 阿仁屋節雄 , 清野仁
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-121654
公開番号（公開出願番号）：特開2000-315655
特許番号：特許第3904340号
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】複数枚の基板を反応炉内に導入する基板導入工程と、該基板導入工程後に反応炉内の基板を設定温度に安定化させるために所定時間放置する温度安定化工程と、前記基板導入工程後に反応炉内を真空引きする真空引き工程と、前記温度安定化工程及び真空引き工程後に、反応ガスを反応炉内に導入して薄膜生成を行う成膜工程と、を備えた基板処理方法において、前記真空引き工程を実行開始する前に、前記温度安定化工程を実行開始することを特徴とする基板処理方法。

IPC (1件)：