一次元炭素ナノ構造体の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：磯野道造
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-087795
公開番号（公開出願番号）：特開2011-190172
出願日： 2011年04月11日
公開日（公表日）： 2011年09月29日
要約：

【課題】個々のカーボンナノチューブを基質上の予め選択した位置に合成する、化学蒸着を用いたカーボンナノチューブおよび炭素ナノ構造体の製造方法の提供。【解決手段】蒸着マスクを備える基質上に、有機金属層を蒸着する。マスクを除去すると、有機金属前駆体のマスク上に蒸着した部分も除去される。有機金属層の残った部分を酸化し、炭素ナノ構造体の合成に用いることのできる金属成長触媒を基質上に得る。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

蒸着マスクを備える基質を設け; 前記基質上に、有機物成分と遷移金属を含む無機物成分とからなる有機金属層を蒸着して、前記有機金属層の少なくとも一部分を前記基質の非マスク部分に蒸着し; 前記基質から前記蒸着マスクを除去し; 前記有機金属層の一部分を空気に触れさせ、前記有機金属層の一部分の前記有機物成分を揮発させて成長触媒を形成し、前記基質を炭素前駆ガスに蒸着温度で触れさせて炭素ナノ構造体を形成することを含む、炭素ナノ構造体を合成する方法。

IPC (3件)：

C01B 31/02 , B82Y 40/00 , B82Y 30/00

FI (3件)：

C01B31/02 101F , B82Y40/00 , B82Y30/00

Fターム (18件)：

4G146AA11 , 4G146AD23 , 4G146AD26 , 4G146AD29 , 4G146AD32 , 4G146BA12 , 4G146BB23 , 4G146BC09 , 4G146BC23 , 4G146BC25 , 4G146BC33B , 4G146BC38B , 4G146BC43 , 4G146BC44 , 4G146DA03 , 4G146DA12 , 4G146DA37 , 4G146DA40

引用特許：

審査官引用 (5件)

パターン化カーボンナノチューブ膜
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-621279 出願人：コモンウエルスサイエンティフィックアンドインダストリアルリサーチオーガナイゼーション
製品の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-045300 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
カーボンナノチューブの製法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-161292 出願人：キヤノン株式会社

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