特許
J-GLOBAL ID：200903092173533001
パターン化カーボンナノチューブ膜
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-621279
公開番号（公開出願番号）：特表2003-500324
出願日： 2000年05月25日
公開日（公表日）： 2003年01月07日
要約：
【要約】本発明は、基体上に配列したカーボンナノチューブのパターン化層を製造する方法において、ナノチューブの成長を支持することができる基体表面の少なくとも一部分にホトレジスト層を適用し、前記ホトレジスト層の領域をマスクして、マスクされた部分とマスクされていない部分とを与え、前記マスクされていない部分を、その部分を変質するのに充分な波長及び強度の電磁波に当て、一方前記マスクされた部分を実質的に未変化のままにし、前記変質した部分が前記非変質部分とは異なった溶解度特性を示し、前記ホトレジストの前記変質部分及び非変質部分の一方を溶解し、他方の部分を前記基体に付着したままにしておくのに充分な時間及び条件下で溶媒と接触させることにより前記ホトレジスト層を現像し、前記残留ホトレジスト部分が付着していない前記基体の領域上で配列カーボンナノチューブの層を合成し、前記基体上にパターン化した配列カーボンナノチューブ層を与える、工程を有するカーボンナノチューブ層の製造方法に関する。
請求項（抜粋）：
基体上に配列したカーボンナノチューブのパターン化層を製造する方法において、 ナノチューブの成長を支持することができる基体表面の少なくとも一部分にホトレジスト層を適用し、 前記ホトレジスト層の領域をマスクして、マスクされた部分とマスクされていない部分とを与え、 前記マスクされていない部分を、その部分を変質するのに充分な波長及び強度の電磁波に当て、一方前記マスクされた部分を実質的に変質されていない状態のままにし、前記変質した部分が前記非変質部分とは異なった溶解度特性を示し、 前記ホトレジストの前記変質部分及び非変質部分の一方を溶解し、他方の部分を前記基体に付着したままにしておくのに充分な時間及び条件下で溶媒と接触させることにより前記ホトレジスト層を現像し、 前記残留ホトレジスト部分が付着していない前記基体領域上で配列カーボンナノチューブの層を合成し、前記基体上にパターン化した配列カーボンナノチューブ層を与える、工程を有するカーボンナノチューブ層の製造方法。
Fターム (5件)：
4G046CA02
, 4G046CB03
, 4G046CC03
, 4G046CC06
, 4G046CC08
