半導体受光素子

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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-095652
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299677
特許番号：特許第4044738号
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半絶縁性の半導体基板上に、大面積の一導電型半導体層と小面積の半導体層からなる光吸収層とを順次積層し、光吸収層の上に逆導電型半導体層と第一の電極とを順次設け、さらに前記一導電型半導体層の露出面に第二の電極を、前記半導体基板の裏面に第三の電極を形成して、第一の電極と第二の電極との間、第二の電極と第三の電極との間に、それぞれ逆バイアスにて電圧印加することを特徴とする半導体受光素子。

IPC (1件)：