特許
J-GLOBAL ID：201103083125587506
ヘテロ接合型バイポーラトランジスタおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
青山 葆
, 山崎 宏
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-232671
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060593
特許番号：特許第4438133号
出願日： 1999年08月19日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体基板の表面側に積層されたエミッタ層、ベース層およびコレクタ層と、
上記基板裏面に設けられた金属からなるヒートシンク層とを備え、
上記エミッタ層、ベース層、コレクタ層および基板をバイアホールが貫通し、
上記エミッタ層の表面電極と上記ヒートシンク層とが上記バイアホール内を通る金属配線で接続されていることを特徴とするヘテロ接合型バイポーラトランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 21/331 ( 200 6.01)
, H01L 29/73 ( 200 6.01)
, H01L 21/8222 ( 200 6.01)
, H01L 27/082 ( 200 6.01)
, H01L 29/205 ( 200 6.01)
H01L 29/72
, H01L 27/08 101 B
, H01L 29/205
