特許
J-GLOBAL ID：201103083219483070
単結晶インゴット製造装置及び方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
木村 高久
, 小幡 義之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-094696
公開番号（公開出願番号）：特開2000-281478
特許番号：特許第4306009号
出願日： 1999年04月01日
公開日（公表日）： 2000年10月10日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 るつぼ内の原料融液から単結晶インゴットを炉内で引き上げるチョクラルスキー法(以下、CZ法)単結晶インゴット製造装置であって、
前記原料融液を作製し貯留するルツボと、このルツボを昇降させる昇降装置と、前記ルツボ内を加熱するヒータと、前記原料融液から単結晶インゴットを引き上げる引き上げ装置と、炉内で引き上げ中の単結晶インゴット(以下、単結晶引き上げインゴット)を囲繞して融液液面からの輻射熱を遮蔽する熱遮蔽体と、を備え、前記単結晶引き上げインゴットの表面温度を検出する温度センサを、前記熱遮蔽体の内側の一部分に備え、
前記温度センサから得られたデータを用いて、固液界面から前記単結晶引き上げインゴットの引き上げ方向の温度が1350°Cとなる温度領域までの間のインゴット領域の部分の温度勾配を算出する温度勾配算出装置と、この温度勾配算出装置により算出された温度勾配に基づいて、以下の3つの制御対象の少なくともいずれか1つを制御するコントローラーと、を備えるCZ法単結晶インゴット製造装置。
イ、前記ヒータの出力、
ロ、前記昇降装置による前記ルツボの昇降、
ハ、前記引き上げ装置による単結晶引き上げインゴットの引き上げ速度。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (3件)
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単結晶体の製造装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-189600
出願人：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
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単結晶の育成方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-294219
出願人：住友電気工業株式会社
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単結晶製造装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-111352
出願人：コマツ電子金属株式会社
審査官引用 (3件)
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単結晶体の製造装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-189600
出願人：新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
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単結晶の育成方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平3-294219
出願人：住友電気工業株式会社
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単結晶製造装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-111352
出願人：コマツ電子金属株式会社
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