表面波プラズマエッチング装置を用いた半導体ウェーハ上の物質膜エッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：八田幹雄 , 野上敦 , 奈良泰男 , 齋藤悦子 , 宇谷勝幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-212978
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068460
特許番号：特許第3782647号
出願日： 2000年07月13日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】絶縁板及び反応チャンバーに表面波を伝えるガラス板を具備し、マイクロ波によって表面波が発生する表面波プラズマエッチング装置により、前記反応チャンバー内に載置された半導体ウェーハ上の物質膜をエッチングする方法において、前記方法は、アルゴンおよびキセノンの少なくとも一方の表面波プラズマを発生させて前記ガラス板を予熱するステップと、前記物質膜をエッチングするステップとを含むことを特徴とする半導体ウェーハ上の物質膜エッチング方法。

IPC (1件)：