特許
J-GLOBAL ID：201103083443388385
集積回路検査方法および装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
桑垣 衛
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-232772
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093949
特許番号：特許第4666730号
出願日： 2000年08月01日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 集積回路(104)の検査方法であって:
半導体素子基板(100)上に半導体回路(104)を形成する段階であって、前記半導体回路は相互接続部(718)の最上位を含む、段階;
前記相互接続部(718)の最上位の上にポリイミド層を形成する段階;
前記ポリイミド層の上に導電層を形成する段階;
前記導電層をパターニングして導電性部材(110)を形成する段階であって、第1導電性部材(110a,110b,110c,110d)が第1集積回路(104a)上において第1電気コンタクト部(112a,112b,112c,112d)に電気的に結合し、前記第1導電性部材(110a,110b,110c,110d)が、第1導電性リード部(113)および第1蛇行形状ヒューズ部(300)を含み、前記第1蛇行形状ヒューズ部(300)が前記第1導電性リード部(113)と前記第1電気コンタクト部(112a,112b,112c,112d)との間に位置し、第2導電性部材(110a,110b,110c,110d)が第1集積回路(104a)上において第2電気コンタクト部(112a,112b,112c,112d)に電気的に結合し、前記第2導電性部材(110a,110b,110c,110d)が、第2導電性リード部(113)および第2蛇行形状ヒューズ部(300)を含み、前記第2蛇行形状ヒューズ部(300)が前記第2導電性リード部(113)と前記第2電気コンタクト部(112a,112b,112c,112d)との間に位置し、前記第1蛇行形状ヒューズ部(300)および前記第2蛇行形状ヒューズ部(300)が互いに隣接するように形成される、前記導電性部材(110)を形成する段階;
前記第1導電性部材(110a,110b,110c,110d)を介して、前記第1電気コンタクト部(112a,112b,112c,112d)に電圧を印加する段階であって、前記第1蛇行形状ヒューズ部(300)を通過する電流量が所定のスレシホルドを超過する場合、前記第1導電性リード部(113)と前記第1電気コンタクト部(112a,112b,112c,112d)との間に電気的開放を形成するように、前記第1蛇行形状ヒューズ部(300)を構成し、前記第1導電性リード部(113)と前記第1電気コンタクト部(112a,112b,112c,112d)との間に電気的開放を形成することに対応して、前記第2蛇行形状ヒューズ部(300)に電気的開放が生成される、前記電圧を印加する段階;および
前記導電性部材(110)の少なくとも一部を除去する段階;
から成ることを特徴とする集積回路(104)の検査方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66 ( 200 6.01)
, G01R 31/28 ( 200 6.01)
, H01L 21/822 ( 200 6.01)
, H01L 27/04 ( 200 6.01)
H01L 21/66 H
, G01R 31/28 U
, H01L 27/04 T
