炭化珪素からなる半導体装置とその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-525771
特許番号：特許第4160752号
出願日： 2000年09月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 n形炭化珪素からなる第一の半導体領域及びp形炭化珪素からなる第二の半導体領域と、前記第一の半導体領域に電気的に接触するショットキ接合層と、前記第二の半導体領域に電気的に接触するp形オーミック接合層を備え、前記ショットキ接合層と前記p形オーミック接合層とは同一の材料組成を持っていて、少なくとも第一の成分および第二の成分からなり、前記第一の成分はニッケル、前記第二の成分はアルミニウムであって、該アルミニウムは20〜80体積%の組成比を占め、前記第一および第二の成分は均質な混合物を形成し、更に前記ショットキ接合層と前記p形オーミック接合層とは接触層を形成すべく形付けられ、前記第一の半導体領域とショットキ接合を、そして前記前記第二の半導体領域とオーミック接合を各々形成すべく少なくとも600°Cの温度で化成処理されたことを特徴とする炭化珪素からなる半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/861 ( 200 6.01) , H01L 29/47 ( 200 6.01) , H01L 29/872 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 29/91 F , H01L 29/48 D

引用特許：

出願人引用 (5件)

半導体整流素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-211576 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-085972
特開平2-045976

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審査官引用 (5件)

半導体整流素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-211576 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-085972
特開平2-045976

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